IXFB38N100Q2

Numărul de produs al producătorului:

IXFB38N100Q2

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXFB38N100Q2-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264

Descriere detaliată:

N-Channel 1000 V 38A (Tc) 890W (Tc) Through Hole PLUS264™

Inventar:

RFQ Online

12819632

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IXFB38N100Q2 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Littelfuse

Ambalare

-

Serie

HiPerFET™, Q2 Class

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

1000 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

38A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 8mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

250 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

13500 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

890W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

PLUS264™

Pachet / Carcasă

TO-264-3, TO-264AA

Numărul de bază al produsului

IXFB38

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

IXFB38N100Q2-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

25

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

littelfuse

IXTP08N100D2

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB

littelfuse

IXFR180N15P

MOSFET N-CH 150V 100A ISOPLUS247

littelfuse

IXFR64N50P

MOSFET N-CH 500V 35A ISOPLUS247

IXTM50N20

MOSFET N-CH 200V 50A TO204AE