IXFR38N80Q2
Numărul de produs al producătorului:

IXFR38N80Q2

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXFR38N80Q2-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 28A (Tc) 416W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™

Inventar:

12913234
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
CqEn
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IXFR38N80Q2 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
HiPerFET™, Q2 Class
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
8340 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
416W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
ISOPLUS247™
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IXFR38

Informații suplimentare

Pachet standard
30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
APT38F80B2
PRODUCĂTOR
Microchip Technology
CANTITATE DISPONIBILĂ
37
DiGi NUMĂR DE PARTE
APT38F80B2-DG
PREȚ UNIC
13.93
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
littelfuse

IXFH24N60X

MOSFET N-CH 600V 24A TO247-3

vishay-siliconix

IRFRC20PBF

MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

vishay-siliconix

SI2301BDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3

vishay-siliconix

SI1450DH-T1-GE3

MOSFET N-CH 8V 4.53A/6.04A SC70