Numărul de produs al producătorului:
IXFQ50N60P3
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFQ50N60P3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 50A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventar:
12821337
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFQ50N60P3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar3™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
145mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6300 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1040W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3P
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
IXFQ50
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FCA22N60N
PRODUCĂTOR
Fairchild Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
545
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCA22N60N-DG
PREȚ UNIC
4.38
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPW60R099CPAFKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
196
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPW60R099CPAFKSA1-DG
PREȚ UNIC
4.16
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTY48P05T
MOSFET P-CH 50V 48A TO252
IXFH86N30T
MOSFET N-CH 300V 86A TO247AD
IXFK180N25T
MOSFET N-CH 250V 180A TO264AA
