IXFK180N25T

Numărul de produs al producătorului:

IXFK180N25T

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXFK180N25T-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 250V 180A TO264AA

Descriere detaliată:

N-Channel 250 V 180A (Tc) 1390W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)

Inventar:

576 Piese Noi Originale În Stoc

12821340

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

emxJ

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IXFK180N25T Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Littelfuse

Ambalare

Tube

Serie

HiPerFET™, Trench

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

250 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

180A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

12.9mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 8mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

345 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

28000 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

1390W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-264AA (IXFK)

Pachet / Carcasă

TO-264-3, TO-264AA

Numărul de bază al produsului

IXFK180

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

25

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

IXTM5N100

MOSFET N-CH 1000V 5A TO204AA

littelfuse

IXFP56N30X3

MOSFET N-CH 300V 56A TO220AB

littelfuse

IXFX12N90Q

MOSFET N-CH 900V 12A PLUS247-3

littelfuse

IXFY5N50P3

MOSFET N-CH 500V 5A TO252