IXFP6N120P

Numărul de produs al producătorului:

IXFP6N120P

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXFP6N120P-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 1200V 6A TO220AB

Descriere detaliată:

N-Channel 1200 V 6A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventar:

171 Piese Noi Originale În Stoc

12819695

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IXFP6N120P Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Littelfuse

Ambalare

Tube

Serie

HiPerFET™, Polar

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

1200 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

2.4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

92 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2830 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

250W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-220-3

Pachet / Carcasă

TO-220-3

Numărul de bază al produsului

IXFP6N120

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

-IXFP6N120P

Pachet standard

50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

littelfuse

IXTQ44N30T

MOSFET N-CH 300V 44A TO3P

littelfuse

IXTQ32N65X

MOSFET N-CH 650V 32A TO3P

littelfuse

IXFN520N075T2

MOSFET N-CH 75V 480A SOT227B

littelfuse

IXFL132N50P3

MOSFET N-CH 500V 63A ISOPLUS264