Numărul de produs al producătorului:
IXTQ32N65X
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTQ32N65X-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 32A TO3P
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 32A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventar:
12819699
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTQ32N65X Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Ultra X
Starea produsului
Last Time Buy
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
135mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2205 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
500W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3P
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
IXTQ32
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXTQ34N65X2M
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTQ34N65X2M-DG
PREȚ UNIC
6.40
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFN520N075T2
MOSFET N-CH 75V 480A SOT227B
IXFL132N50P3
MOSFET N-CH 500V 63A ISOPLUS264
IXTY44N10T
MOSFET N-CH 100V 44A TO252
