IXFP12N65X2
Numărul de produs al producătorului:

IXFP12N65X2

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXFP12N65X2-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventar:

290 Piese Noi Originale În Stoc
12905780
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IXFP12N65X2 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
310mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
18.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1134 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
180W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IXFP12

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

IRFP460P

MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3

vishay-siliconix

IRFR9024TRLPBF

MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK

diodes

ZVP2110GTA

MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223

diodes

ZXMN10A07ZTA

MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3