Numărul de produs al producătorului:
IXFP12N65X2
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFP12N65X2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
290 Piese Noi Originale În Stoc
12905780
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFP12N65X2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
310mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
18.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1134 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
180W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IXFP12
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFP460P
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
IRFR9024TRLPBF
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
ZVP2110GTA
MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223
