ZVP2110GTA

Numărul de produs al producătorului:

ZVP2110GTA

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

ZVP2110GTA-DG

Descriere:

MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223

Descriere detaliată:

P-Channel 100 V 310mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3

Inventar:

RFQ Online

12905786

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

ZVP2110GTA Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Diodes Incorporated

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

P-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

100 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

310mA (Ta)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 375mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 1mA

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

100 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

2W (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

SOT-223-3

Pachet / Carcasă

TO-261-4, TO-261AA

Numărul de bază al produsului

ZVP2110

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

ZVP2110GDKR

ZVP2110GTR-NDR

ZVP2110GCT-NDR

ZVP2110GTR

ZVP2110G

ZVP2110GCT

Pachet standard

1,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

diodes

ZXMN10A07ZTA

MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3

diodes

ZVN4424ASTOB

MOSFET N-CH 240V 260MA E-LINE

diodes

ZVN2106ASTOB

MOSFET N-CH 60V 450MA E-LINE

littelfuse

IXTP8N65X2M

MOSFET N-CH 650V 4A TO220