Numărul de produs al producătorului:
IXTP8N65X2M
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTP8N65X2M-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 32W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
46 Piese Noi Originale În Stoc
12905806
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTP8N65X2M Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Ultra X2
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
550mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
800 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
32W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IXTP8
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STP10NM60ND
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
631
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP10NM60ND-DG
PREȚ UNIC
0.91
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
FCP600N60Z
PRODUCĂTOR
Fairchild Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
781
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCP600N60Z-DG
PREȚ UNIC
1.07
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
ZVP2106AS
MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3
IRFR9024TRR
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
IRF9520STRLPBF
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
