Numărul de produs al producătorului:
IXFN60N80P
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFN60N80P-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 53A (Tc) 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventar:
12820902
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFN60N80P Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
53A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
18000 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1040W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-227B
Pachet / Carcasă
SOT-227-4, miniBLOC
Numărul de bază al produsului
IXFN60
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
10
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
APT53F80J
PRODUCĂTOR
Microchip Technology
CANTITATE DISPONIBILĂ
89
DiGi NUMĂR DE PARTE
APT53F80J-DG
PREȚ UNIC
52.75
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTA8N65X2
MOSFET N-CH 650V 8A TO263
IXFH42N50P2
MOSFET N-CH 500V 42A TO247AD
IXTP7N60P
MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
