APT53F80J
Numărul de produs al producătorului:

APT53F80J

Product Overview

Producător:

Microchip Technology

DiGi Electronics Cod de parte:

APT53F80J-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 800V 57A ISOTOP
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 57A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®

Inventar:

89 Piese Noi Originale În Stoc
13258084
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

APT53F80J Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microchip Technology
Ambalare
Tube
Serie
POWER MOS 8™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
57A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
570 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
17550 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
960W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
ISOTOP®
Pachet / Carcasă
SOT-227-4, miniBLOC
Numărul de bază al produsului
APT53F80

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
APT53F80J High-Voltage Power Discretes and Modules

Informații suplimentare

Pachet standard
10

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
microchip-technology

APT24M120B2

MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX

microchip-technology

APT60N60SCSG

MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

microchip-technology

APT20M120JCU3

MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227

microsemi

APT28F60S

MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK