IXFK88N30P
Numărul de produs al producătorului:

IXFK88N30P

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXFK88N30P-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 300V 88A TO264AA
Descriere detaliată:
N-Channel 300 V 88A (Tc) 600W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)

Inventar:

12907121
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IXFK88N30P Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
300 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
88A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6300 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
600W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-264AA (IXFK)
Pachet / Carcasă
TO-264-3, TO-264AA
Numărul de bază al produsului
IXFK88

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard
25

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

IRC730PBF

MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220-5

vishay-siliconix

IRFI644G

MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220-3

vishay-siliconix

IRF9510SPBF

MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK

vishay-siliconix

IRFR220TRPBF

MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK