Numărul de produs al producătorului:
IRFR220TRPBF
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFR220TRPBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 4.8A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
15775 Piese Noi Originale În Stoc
12907180
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFR220TRPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
260 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DPAK
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IRFR220
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRFR220PBFCT
Q6936817FW
IRFR220PBFTR
IRFR220TRPBF-DG
IRFR220TRPBFTR-DG
*IRFR220TRPBF
IRFR220PBFDKR
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFP460
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
ZXMN3B01FTA
MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
IRFP17N50L
MOSFET N-CH 500V 16A TO247-3
