IXFK32N100P

Numărul de produs al producătorului:

IXFK32N100P

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXFK32N100P-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 1000V 32A TO264AA

Descriere detaliată:

N-Channel 1000 V 32A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)

Inventar:

RFQ Online

12822242

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IXFK32N100P Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Littelfuse

Ambalare

Tube

Serie

HiPerFET™, Polar

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

1000 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

32A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

320mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

225 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

14200 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

960W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-264AA (IXFK)

Pachet / Carcasă

TO-264-3, TO-264AA

Numărul de bază al produsului

IXFK32

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

25

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

littelfuse

IXTA1R4N100P

MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263

littelfuse

IXFK90N20Q

MOSFET N-CH 200V 90A TO264AA

littelfuse

IXTC200N10T

MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220

littelfuse

IXTB62N50L

MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264