IXTB62N50L

Numărul de produs al producătorului:

IXTB62N50L

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXTB62N50L-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264

Descriere detaliată:

N-Channel 500 V 62A (Tc) 800W (Tc) Through Hole PLUS264™

Inventar:

RFQ Online

12822259

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IXTB62N50L Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Littelfuse

Ambalare

Tube

Serie

Linear

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

500 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

62A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 31A, 20V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

550 nC @ 20 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

11500 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

800W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

PLUS264™

Pachet / Carcasă

TO-264-3, TO-264AA

Numărul de bază al produsului

IXTB62

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

25

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

nxp-semiconductors

PHD18NQ10T,118

MOSFET N-CH 100V 18A DPAK

littelfuse

IXTH72N20

MOSFET N-CH 200V 72A TO247

littelfuse

IXFN32N120

MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

infineon-technologies

IRFR120Z

MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK