Numărul de produs al producătorului:
IXFH8N80
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFH8N80-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 8A TO247AD
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventar:
12913928
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFH8N80 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
HiPerFET™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 2.5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2600 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
180W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247AD (IXFH)
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IXFH8
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STW10NK80Z
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
39
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW10NK80Z-DG
PREȚ UNIC
2.27
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFR420APBF
MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
IRFIBC20GPBF
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220-3
SI3441BDV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.45A 6TSOP
