Numărul de produs al producătorului:
IRFIBC20GPBF
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFIBC20GPBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 1.7A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
1053 Piese Noi Originale În Stoc
12913931
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFIBC20GPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
30W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numărul de bază al produsului
IRFIBC20
Informații suplimentare
Alte nume
*IRFIBC20GPBF
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI3441BDV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.45A 6TSOP
SI8405DB-T1-E1
MOSFET P-CH 12V 3.6A 4MICROFOOT
SI4403BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SO
