Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IXFH18N65X2
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFH18N65X2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 18A TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventar:
RFQ Online
13270781
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFH18N65X2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1.5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1520 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
290W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247 (IXTH)
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IXFH18
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
IXF(A,H,P)18N65X2 Datasheet
Building, Home Automation Appl Guide
Informații suplimentare
Alte nume
238-IXFH18N65X2
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FCH190N65F-F155
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
415
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCH190N65F-F155-DG
PREȚ UNIC
2.95
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
SCT3120ALGC11
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
6940
DiGi NUMĂR DE PARTE
SCT3120ALGC11-DG
PREȚ UNIC
4.30
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
TK20N60W,S1VF
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
15
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK20N60W,S1VF-DG
PREȚ UNIC
2.83
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
TK16N60W,S1VF
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
30
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK16N60W,S1VF-DG
PREȚ UNIC
1.71
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
TK20N60W5,S1VF
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
8
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK20N60W5,S1VF-DG
PREȚ UNIC
1.67
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTX660N04T4
DISC MSFT NCHTRENCHGATE-GEN4 TO-
IXTY02N120P-TRL
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
IXTA10P15T-TRL
MOSFET P-CH 150V 10A TO263
IXTT140N10P-TRL
MOSFET N-CH 100V 140A TO268