Numărul de produs al producătorului:
IXFE34N100
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFE34N100-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227B
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 30A (Tc) 580W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventar:
12820043
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFE34N100 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
HiPerFET™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
455 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
15000 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
580W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-227B
Pachet / Carcasă
SOT-227-4, miniBLOC
Numărul de bază al produsului
IXFE34
Informații suplimentare
Pachet standard
1
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTQ10P50P
MOSFET P-CH 500V 10A TO3P
IXTP28P065T
MOSFET P-CH 65V 28A TO220AB
IXFX220N17T2
MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247-3
