Numărul de produs al producătorului:
IXFX220N17T2
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFX220N17T2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 170 V 220A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventar:
12820050
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFX220N17T2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, TrenchT2™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
170 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
220A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6.3mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
500 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
31000 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PLUS247™-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3 Variant
Numărul de bază al produsului
IXFX220
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF200P222
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
971
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF200P222-DG
PREȚ UNIC
4.96
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFT26N60Q
MOSFET N-CH 600V 26A TO268
IXTH60N25
MOSFET N-CH 250V 60A TO247
IXFH40N30Q
MOSFET N-CH 300V 40A TO247AD
