Numărul de produs al producătorului:
IXFA130N10T2-TRL
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFA130N10T2-TRL-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 130A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
13270771
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFA130N10T2-TRL Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
HiPerFET™, TrenchT2™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
10.1mOhm @ 65A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6600 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
360W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IXFA130
Informații suplimentare
Alte nume
238-IXFA130N10T2-TRLTR
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFH18N65X2
MOSFET N-CH 650V 18A TO247
IXTX660N04T4
DISC MSFT NCHTRENCHGATE-GEN4 TO-
IXTY02N120P-TRL
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
