Numărul de produs al producătorului:
AUIRF7675M2TR
Product Overview
Producător:
International Rectifier
DiGi Electronics Cod de parte:
AUIRF7675M2TR-DG
Descriere:
AUIRF7675M2 - 120V-300V N-CHANNE
Descriere detaliată:
N-Channel 150 V 4.4A (Ta), 18A (Tc) 2.7W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric M2
Inventar:
2988 Piese Noi Originale În Stoc
12946055
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
AUIRF7675M2TR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.4A (Ta), 18A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
56mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1360 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.7W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DirectFET™ Isometric M2
Pachet / Carcasă
DirectFET™ Isometric M2
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
INFIRFAUIRF7675M2TR
2156-AUIRF7675M2TR
Pachet standard
267
Clasificare de Mediu și Export
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FCP16N60N
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
2SK2632LS-CB11
2SK2632 - 2.5A, 800V, 4.8OHM, N-
FCH077N65F-F085
MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3