AUIRF1010Z
Numărul de produs al producătorului:

AUIRF1010Z

Product Overview

Producător:

International Rectifier

DiGi Electronics Cod de parte:

AUIRF1010Z-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventar:

12268 Piese Noi Originale În Stoc
12946691
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

AUIRF1010Z Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
55 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2840 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
140W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3

Fișa de date și documente

Informații suplimentare

Alte nume
2156-AUIRF1010Z
INFIRFAUIRF1010Z
Pachet standard
281

Clasificare de Mediu și Export

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
fairchild-semiconductor

FDD8782

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

fairchild-semiconductor

FQP2N80

MOSFET N-CH 800V 2.4A TO220-3

fairchild-semiconductor

FDPF680N10T

MOSFET N-CH 100V 12A TO220F

fairchild-semiconductor

FQI8N60CTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7