Numărul de produs al producătorului:
SPN02N60C3
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
SPN02N60C3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 400MA SOT223-4
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 400mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventar:
12807133
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SPN02N60C3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
400mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 80µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
200 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.8W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-SOT223-4
Pachet / Carcasă
TO-261-4, TO-261AA
Numărul de bază al produsului
SPN02N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP000101878
SPN02N60C3XT
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STN1HNK60
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
45248
DiGi NUMĂR DE PARTE
STN1HNK60-DG
PREȚ UNIC
0.37
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SPB77N06S2-12
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
SN7002W L6327
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT323-3
SPB03N60S5ATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO263-3
