Numărul de produs al producătorului:
SPI11N60CFDHKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
SPI11N60CFDHKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 11A TO262-3
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventar:
12807233
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SPI11N60CFDHKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
440mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 500µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO262-3-1
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
SPI11N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP000229994
SPI11N60CFD
SPI11N60CFD-DG
SP000680990
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STP13NM60ND
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
87
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP13NM60ND-DG
PREȚ UNIC
1.64
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRLHM630TRPBF
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
IRF1010EZLPBF
MOSFET N-CH 60V 75A TO262
IRL1104S
MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
