Numărul de produs al producătorului:
IRLHM630TRPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRLHM630TRPBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
Inventar:
13294 Piese Noi Originale În Stoc
12807235
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRLHM630TRPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
21A (Ta), 40A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 50µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3170 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.7W (Ta), 37W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PQFN (3x3)
Pachet / Carcasă
8-VQFN Exposed Pad
Numărul de bază al produsului
IRLHM630
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRLHM630TRPBFTR
IRLHM630TRPBF-DG
IRLHM630TRPBFCT
SP001568974
IRLHM630TRPBFDKR
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF1010EZLPBF
MOSFET N-CH 60V 75A TO262
IRL1104S
MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
IRL3705NSTRR
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
