Numărul de produs al producătorului:
SPB80P06PGATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
SPB80P06PGATMA1-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Descriere detaliată:
P-Channel 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventar:
41 Piese Noi Originale În Stoc
12806151
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SPB80P06PGATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
SIPMOS®
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5.5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
173 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5033 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
340W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3-2
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
SPB80P06
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP000096088
SPB80P06P G-DG
SPB80P06PGATMA1CT
SPB80P06PGXT
SPB80P06PGINDKR-DG
SPB80P06PGINCT
SPB80P06P G
SPB80P06PG
SPB80P06PGINDKR
SPB80P06PGATMA1DKR
SPB80P06PGATMA1TR
SPB80P06PGINDKRINACTIVE
SPB80P06PGINCT-DG
SPB80P06PGINTR
SPB80P06PGINTR-DG
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFL4105TRPBF
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
IRFH6200TRPBF
MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
SPB100N03S2L-03
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
