Numărul de produs al producătorului:
IPSA70R2K0P7SAKMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPSA70R2K0P7SAKMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 700V 3A TO251-3
Descriere detaliată:
N-Channel 700 V 3A (Tc) 17.6W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-347
Inventar:
79 Piese Noi Originale În Stoc
12806157
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPSA70R2K0P7SAKMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™ P7
Starea produsului
Last Time Buy
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
700 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 30µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
3.8 nC @ 400 V
Vgs (Max)
±16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
130 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
17.6W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO251-3-347
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Numărul de bază al produsului
IPSA70
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPSA70R2K0P7SAKMA1-DG
448-IPSA70R2K0P7SAKMA1
SP001664770
Pachet standard
75
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFSL3206PBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO262
IRFU2307ZPBF
MOSFET N-CH 75V 42A IPAK
IRFR3504ZTRPBF
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK