Numărul de produs al producătorului:
SPA17N80C3XKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
SPA17N80C3XKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 42W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Inventar:
500 Piese Noi Originale În Stoc
12807538
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
Ncde
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SPA17N80C3XKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
177 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2320 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
42W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3-31
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
SPA17N80
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SPA1-ND7N80C3XKSA1
SP000216353
SPA17N80C3XKSA1-DG
SPA17N80C3
SPA17N80C3X
SPA1-DG7N80C3XKSA1-DG
SPA17N80C3IN-DG
SPA17N80C3XK
448-SPA17N80C3XKSA1
SPA17N80C3IN
SPA17N80C3XTIN-DG
SPA17N80C3XTIN
SPA17N80C3IN-NDR
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SPB21N50C3ATMA1
MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3
SPB10N10
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO263-3
IRLL014NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223