Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IRLR8103VTRPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRLR8103VTRPBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 91A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Inventar:
RFQ Online
12805604
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRLR8103VTRPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
91A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2672 pF @ 16 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
115W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA (DPAK)
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Fișa de date și documente
Resurse de proiectare
IRLR8103VTRPBF Saber Model
Fișa de date HTML
IRLR8103VTRPBF-DG
Fișe tehnice
IRLR8103VTRPBF
Informații suplimentare
Alte nume
IRLR8103VPBFCT
SP001558514
IRLR8103VPBFTR
*IRLR8103VTRPBF
IRLR8103VPBFDKR
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDD8876
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
8387
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDD8876-DG
PREȚ UNIC
0.51
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STD100N3LF3
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STD100N3LF3-DG
PREȚ UNIC
1.71
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPD090N03LGATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
94138
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD090N03LGATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.23
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
DMN3010LK3-13
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
1639
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMN3010LK3-13-DG
PREȚ UNIC
0.19
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FDD8880
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
13967
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDD8880-DG
PREȚ UNIC
0.27
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFU7540PBF
MOSFET N-CH 60V 90A IPAK
ISP12DP06NMXTSA1
MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4
IRFU3711ZPBF
MOSFET N-CH 20V 93A IPAK
IRF3515S
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK