IRFU3711ZPBF

Numărul de produs al producătorului:

IRFU3711ZPBF

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IRFU3711ZPBF-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 20V 93A IPAK

Descriere detaliată:

N-Channel 20 V 93A (Tc) 79W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)

Inventar:

RFQ Online

12805607

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IRFU3711ZPBF Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Infineon Technologies

Ambalare

-

Serie

HEXFET®

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

93A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

5.7mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.45V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

27 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2160 pF @ 10 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

79W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

IPAK (TO-251AA)

Pachet / Carcasă

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

IRFU3711ZPBF-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

*IRFU3711ZPBF

SP001557746

Pachet standard

75

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

infineon-technologies

IRF3515S

MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK

infineon-technologies

IRF1310NSTRLPBF

MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK

infineon-technologies

IRL5602SPBF

MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK

infineon-technologies

IRF5305STRRPBF

MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK