Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IRL2505S
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRL2505S-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 55 V 104A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
RFQ Online
12806412
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRL2505S Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
55 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
104A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 54A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5000 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
D2PAK
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fișa de date și documente
Resurse de proiectare
IRL2505S Saber Model
Fișa de date HTML
IRL2505S-DG
Fișe tehnice
IRL2505S
Informații suplimentare
Alte nume
*IRL2505S
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPB081N06L3GATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
5151
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB081N06L3GATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.57
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STB150NF55T4
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
969
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB150NF55T4-DG
PREȚ UNIC
1.68
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FDB088N08
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
330
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDB088N08-DG
PREȚ UNIC
1.12
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STB85NF55T4
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
998
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB85NF55T4-DG
PREȚ UNIC
1.22
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STB141NF55
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB141NF55-DG
PREȚ UNIC
1.32
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF7220GTRPBF
MOSFET P-CH 14V 11A 8SO
IRLI540NPBF
MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB FP
IRF7483MTRPBF
MOSFET N-CH 40V 135A DIRECTFET
TN5325K1-G
MOSFET N-CH 250V 150MA TO236AB