Numărul de produs al producătorului:
IRFTS8342TRPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFTS8342TRPBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 8.2A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Inventar:
16344 Piese Noi Originale În Stoc
12822858
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFTS8342TRPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8.2A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
4.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
560 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
6-TSOP
Pachet / Carcasă
SOT-23-6
Numărul de bază al produsului
IRFTS8342
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRFTS8342TRPBFCT
IRFTS8342TRPBFTR
SP001552394
2156-IRFTS8342TRPBFTR
IRFTS8342TRPBFDKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPP60R022S7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 23A TO220-3
IRL3713STRLPBF
MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
BUK9618-55A,118
MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
