IRL3202PBF

Numărul de produs al producătorului:

IRL3202PBF

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IRL3202PBF-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 20V 48A TO220AB

Descriere detaliată:

N-Channel 20 V 48A (Tc) 69W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventar:

RFQ Online

12822886

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IRL3202PBF Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Infineon Technologies

Ambalare

-

Serie

HEXFET®

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

48A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 7V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 29A, 7V

Vgs(th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA (Min)

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

43 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2000 pF @ 15 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

69W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-220AB

Pachet / Carcasă

TO-220-3

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

SP001571790

*IRL3202PBF

Pachet standard

50

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

infineon-technologies

IRFU6215PBF

MOSFET P-CH 150V 13A IPAK

infineon-technologies

IRFHS8242TRPBF

MOSFET N-CH 25V 9.9A/21A 6PQFN

infineon-technologies

IPP45P03P4L11AKSA1

MOSFET P-CH 30V 45A TO220-3

infineon-technologies

IRF7433TR

MOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO