Numărul de produs al producătorului:
IRFP3206PBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFP3206PBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventar:
12712 Piese Noi Originale În Stoc
12803382
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFP3206PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6540 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
280W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247AC
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IRFP3206
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001578056
448-IRFP3206PBF
IRFP3206PBF-DG
2156-IRFP3206PBF
Pachet standard
25
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFB3207ZPBF
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
IRF3708S
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
IRF3315STRR
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
