IRF3315STRR

Numărul de produs al producătorului:

IRF3315STRR

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IRF3315STRR-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK

Descriere detaliată:

N-Channel 150 V 21A (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventar:

RFQ Online

12803387

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IRF3315STRR Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Infineon Technologies

Ambalare

-

Serie

HEXFET®

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

150 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

21A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

82mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

95 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1300 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

3.8W (Ta), 94W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

D2PAK

Pachet / Carcasă

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

800

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

RoHS non-compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

infineon-technologies

IPW50R280CEFKSA1

MOSFET N-CH 500V 13A TO247-3

infineon-technologies

IRF2804PBF

MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

infineon-technologies

IRFS4610PBF

MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK

infineon-technologies

IPB26CN10NGATMA1

MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK