Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPB26CN10NGATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPB26CN10NGATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
RFQ Online
12803393
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPB26CN10NGATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 39µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2070 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
71W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IPB26C
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPB26CN10NGATMA1-DG
Fișe tehnice
IPB26CN10NGATMA1
Informații suplimentare
Alte nume
SP000277692
IPB26CN10N G-DG
2156-IPB26CN10NGATMA1-ITTR
IPB26CN10N G
IPB26CN10NGATMA1TR
INFINFIPB26CN10NGATMA1
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STB30NF10T4
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
971
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB30NF10T4-DG
PREȚ UNIC
0.66
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
PSMN034-100BS,118
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
4605
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN034-100BS,118-DG
PREȚ UNIC
0.51
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
PSMN016-100BS,118
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
3321
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN016-100BS,118-DG
PREȚ UNIC
0.64
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
SQM40N10-30_GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
633
DiGi NUMĂR DE PARTE
SQM40N10-30_GE3-DG
PREȚ UNIC
0.85
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
BUK9629-100B,118
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
9372
DiGi NUMĂR DE PARTE
BUK9629-100B,118-DG
PREȚ UNIC
0.65
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPD60R460CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 9.1A TO252-3
IRF9Z34NSPBF
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
IPP65R065C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3
IRFSL4127PBF
MOSFET N-CH 200V 72A TO262