Numărul de produs al producătorului:
IPP65R065C7XKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP65R065C7XKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 33A (Tc) 171W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
500 Piese Noi Originale În Stoc
12803396
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP65R065C7XKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™ C7
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 17.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 850µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3020 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
171W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP65R065
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001080100
448-IPP65R065C7XKSA1
2156-IPP65R065C7XKSA1
IPP65R065C7XKSA1-DG
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFSL4127PBF
MOSFET N-CH 200V 72A TO262
IPP60R080P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3
IPD60R2K0C6BTMA1
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
