Numărul de produs al producătorului:
IRFP22N50APBFXKMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFP22N50APBFXKMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 22A TO247AC
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 22A (Tc) 277W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventar:
12805289
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFP22N50APBFXKMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
230mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3450 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
277W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247AC
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001560506
Pachet standard
400
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFP22N50APBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
1827
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFP22N50APBF-DG
PREȚ UNIC
2.41
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMĂRUL PARTEI
SIHG22N50D-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
SIHG22N50D-GE3-DG
PREȚ UNIC
2.62
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFR5305TRL
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
IRFSL3607PBF
MOSFET N-CH 75V 80A TO262
IRFR13N20DTRL
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
