Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IRFHM8329TRPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFHM8329TRPBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 16A/57A PQFN
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 16A (Ta), 57A (Tc) 2.6W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
Inventar:
RFQ Online
12803545
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFHM8329TRPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
16A (Ta), 57A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 25µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1710 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.6W (Ta), 33W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PQFN (3x3)
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IRFHM8329TRPBF-DG
Fișe tehnice
IRFHM8329TRPBF
Informații suplimentare
Alte nume
2156-IRFHM8329TRPBF
IFEINFIRFHM8329TRPBF
IRFHM8329TRPBFDKR
SP001566808
IRFHM8329TRPBFCT
IRFHM8329TRPBFTR
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDMC7680
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
5000
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDMC7680-DG
PREȚ UNIC
0.53
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RQ3E130BNTB
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
1954
DiGi NUMĂR DE PARTE
RQ3E130BNTB-DG
PREȚ UNIC
0.15
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
NTTFS4C10NTWG
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
405
DiGi NUMĂR DE PARTE
NTTFS4C10NTWG-DG
PREȚ UNIC
0.32
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
NTTFS4C10NTAG
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
1330
DiGi NUMĂR DE PARTE
NTTFS4C10NTAG-DG
PREȚ UNIC
0.37
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
BSZ065N03LSATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
26246
DiGi NUMĂR DE PARTE
BSZ065N03LSATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.28
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFU9120N
MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
IPC020N10L3X1SA1
MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL
IPL65R460CFDAUMA1
MOSFET N-CH 650V 8.3A THIN-PAK
IRF8010PBF
MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB