Numărul de produs al producătorului:
IPL65R460CFDAUMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPL65R460CFDAUMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 8.3A THIN-PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 8.3A (Tc) 83.3W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Inventar:
12803548
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPL65R460CFDAUMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8.3A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
460mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 300µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
31.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
870 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
83.3W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-VSON-4
Pachet / Carcasă
4-PowerTSFN
Numărul de bază al produsului
IPL65R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP000949260
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
2A (4 Weeks)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPD60R170CFD7ATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD60R170CFD7ATMA1-DG
PREȚ UNIC
1.17
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF8010PBF
MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
IRF6215L-103
MOSFET P-CH 150V 13A TO262
IPT007N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
