Numărul de produs al producătorului:
IRFH5025TRPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFH5025TRPBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 250V 3.8A 8PQFN
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 3.8A (Ta) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventar:
12806856
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFH5025TRPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.8A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 150µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2150 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-PQFN (5x6)
Pachet / Carcasă
8-PowerVDFN
Numărul de bază al produsului
IRFH5025
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRFH5025TRPBFCT
IRFH5025TRPBFTR
INFINFIRFH5025TRPBF
IRFH5025TRPBF-DG
SP001575486
IRFH5025TRPBFDKR
2156-IRFH5025TRPBF
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TPH1110FNH,L1Q
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
11608
DiGi NUMĂR DE PARTE
TPH1110FNH,L1Q-DG
PREȚ UNIC
0.68
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRL2203NSTRR
MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
IRLR2905TRRPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
IRLB3036PBF
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
