IRLB3036PBF
Numărul de produs al producătorului:

IRLB3036PBF

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IRLB3036PBF-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 195A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventar:

21252 Piese Noi Originale În Stoc
12806863
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IRLB3036PBF Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 165A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
11210 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
380W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IRLB3036

Fișa de date și documente

Resurse de proiectare
Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
SP001568396
64-0100PBF
64-0100PBF-DG
IRLB3036PBF-DG
448-IRLB3036PBF
Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
infineon-technologies

IRF5803D2TRPBF

MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO

infineon-technologies

IRFR4104PBF

MOSFET N-CH 40V 42A DPAK

infineon-technologies

IRLR3715PBF

MOSFET N-CH 20V 54A DPAK

infineon-technologies

IRF7403TRPBF

MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO