Numărul de produs al producătorului:

IRF7834PBF

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IRF7834PBF-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 30V 19A 8SO

Descriere detaliată:

N-Channel 30 V 19A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Inventar:

RFQ Online

12803378

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IRF7834PBF Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Infineon Technologies

Ambalare

-

Serie

HEXFET®

Starea produsului

Discontinued at Digi-Key

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

19A (Ta)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.25V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

44 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

3710 pF @ 15 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

2.5W (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

8-SO

Pachet / Carcasă

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

SP001565546

Pachet standard

95

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

IPC60R950C6X1SA1

MOSFET N-CH BARE DIE

infineon-technologies

IRFH7787TRPBF

MOSFET N-CH 75V 68A PQFN

infineon-technologies

IRFP3206PBF

MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC

infineon-technologies

IRFB3207ZPBF

MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB