Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IRF7805TRPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF7805TRPBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventar:
RFQ Online
12803410
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF7805TRPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
13A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±12V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SO
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IRF7805TRPBF-DG
Fișe tehnice
IRF7805TRPBF
Informații suplimentare
Alte nume
IRF7805PBFCT
*IRF7805TRPBF
IRF7805PBFTR
SP001555586
IRF7805PBFDKR
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDS8880
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
16306
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDS8880-DG
PREȚ UNIC
0.24
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRF8714TRPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
26446
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF8714TRPBF-DG
PREȚ UNIC
0.21
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFR7440PBF
MOSFET N CH 40V 90A DPAK
IPA80R280P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3F
IPP90R800C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-3
IPD50R399CPATMA1
LOW POWER_LEGACY