FDS8880

Numărul de produs al producătorului:

FDS8880

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

FDS8880-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC

Descriere detaliată:

N-Channel 30 V 11.6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventar:

16306 Piese Noi Originale În Stoc

12839895

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

FDS8880 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

onsemi

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

PowerTrench®

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

11.6A (Ta)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 11.6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

30 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1235 pF @ 15 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

2.5W (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

8-SOIC

Pachet / Carcasă

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Numărul de bază al produsului

FDS88

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

FDS8880TR

FDS8880DKR

FDS8880CT

FDS8880-DG

Pachet standard

2,500

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

EFC4615R-TR

MOSFET N-CH 24V 6A EFCP

onsemi

SFP9530

MOSFET P-CH 100V 10.5A TO220-3

onsemi

FQD5P10TM

MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK

onsemi

FDMS7692

MOSFET N-CH 30V 14A/28A 8PQFN