Numărul de produs al producătorului:
IRF7523D1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF7523D1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 2.7A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro8™
Inventar:
12804526
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF7523D1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
FETKY™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
210 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Schottky Diode (Isolated)
Disiparea puterii (max)
1.25W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
Micro8™
Pachet / Carcasă
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
95
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRLML6346TRPBF
MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
IPSA70R1K2P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 4.5A TO251-3
IPB80N06S407ATMA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
