Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPB80N06S407ATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPB80N06S407ATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventar:
RFQ Online
12804534
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPB80N06S407ATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Discontinued at Digi-Key
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.1mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 40µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4500 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
79W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3-2
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IPB80N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPB80N06S407ATMA1-DG
Fișe tehnice
IPB80N06S407ATMA1
Informații suplimentare
Alte nume
IPB80N06S4-07
IPB80N06S407ATMA1TR
IPB80N06S4-07-DG
2156-IPB80N06S407ATMA1
INFINFIPB80N06S407ATMA1
SP000415568
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF1010ZSTRLPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
3185
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF1010ZSTRLPBF-DG
PREȚ UNIC
0.86
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
PSMN6R5-80BS,118
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
4297
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN6R5-80BS,118-DG
PREȚ UNIC
0.95
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRF3808STRLPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
3022
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF3808STRLPBF-DG
PREȚ UNIC
1.30
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FDB5800
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
460
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDB5800-DG
PREȚ UNIC
1.27
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
PSMN7R6-60BS,118
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
7953
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN7R6-60BS,118-DG
PREȚ UNIC
0.65
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPD90P04P405ATMA1
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
IRFU3709
MOSFET N-CH 30V 90A IPAK
IPW65R110CFDFKSA2
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
IPD78CN10NGBUMA1
MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3