Numărul de produs al producătorului:
IRF7473PBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF7473PBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 6.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventar:
12802770
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF7473PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Discontinued at Digi-Key
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.9A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3180 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SO
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001572110
Pachet standard
95
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDS3572
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
6770
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDS3572-DG
PREȚ UNIC
0.63
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPD380P06NMATMA1
MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3
IPD040N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-31
IPA60R385CPXKSA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO220-FP