Numărul de produs al producătorului:
IRF7325PBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF7325PBF-DG
Descriere:
MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8SO
Descriere detaliată:
Mosfet Array 12V 7.8A 2W Surface Mount 8-SO
Inventar:
12802863
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF7325PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 P-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
12V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7.8A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 7.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2020pF @ 10V
Putere - Max
2W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SO
Numărul de bază al produsului
IRF732
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
95
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF7304QTRPBF
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SOIC
IRF8910GTRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
IRF8513PBF
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8SO
